SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 335 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 18
倍数： 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36
18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36
18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36
18 Mbit 512 k x 32 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 175 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 210 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 32 16M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray