S70KS1282GABHV020

Mouser编号：

727-S70KS1282GABHV20

制造商编号：

S70KS1282GABHV020

制造商：

Infineon Technologies

说明：

动态随机存取存储器 SPCM

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

S70KS1282GABHV020 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	动态随机存取存储器
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
类型:	HyperRAM
存储容量:	128 Mbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	200 MHz
组织:	16 M x 8
访问时间:	35 ns
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	2 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	338
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	60 mA

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数据表

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EOL

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320002
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 泰国
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

S70KL1282和S70KL1283接口HyperRAM

英飞凌科技 S70KL1282和S70KL1283接口HyperRAM是高速CMOS、自刷新DRAM，具有HYPERBUS™接口。DRAM阵列采用需要定期刷新的动态单元。当HYPERBUS接口主机（主机）未主动读取或写入存储器时，器件内的刷新控制逻辑可管理DRAM阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此主机认为DRAM阵列使用静态单元即可保留数据而无需刷新。该内存更准确地描述为伪静态RAM (PSRAM)。