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库存状态选项
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 9Mb 166Mhz 256K x 36 Pipelined 静态随机存取存储器
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SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S
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SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
onsemi NV25128DTHFT3G
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 128 KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 (ONC18EE PHASE 2) IN TSSOP8
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EEPROM
onsemi NV25128DWHFT3G
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 128 KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 (ONC18EE PHASE 2) IN SOIC8
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EEPROM
Amphenol ProLabs 通用闪存存储器 - UFS Factory Original 128MB 68-pin Compact Flash
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Universal Flash Storage (UFS)
Microchip Technology 电可擦除可编程只读存储器 16 Kbit SPI SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 w/ECC, 8-TSSOP T&R, 150C AUTO
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EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 16 Kbit SPI
ISSI IS46LQ32512A-046BLA1
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
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DRAM
ISSI IS43LQ32512A-046BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
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DRAM
ISSI IS46LQ32512A-046BLA1-TR
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
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DRAM
ISSI IS43LQ32512A-053BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
DRAM
ISSI IS46LQ32512A-053BLA2-TR
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
DRAM
ISSI IS46LQ32512A-046BLA2-TR
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
DRAM
ISSI IS46LQ32512A-053BLA1
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
DRAM
ISSI IS46LQ32512A-053BLA1-TR
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
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DRAM