200 MHz 动态随机存取存储器

结果: 137
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 553库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 2,509库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 1,152库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM 1,646库存量
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Winbond 动态随机存取存储器 64Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 4,479库存量
1在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C W956A8MBYA Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, QUA动态随机存取存储器, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V

AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 143库存量
4,800预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM 636库存量
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 100库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 844库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 426库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray

Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V 480库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray

Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb DDR S动态随机存取存储器 x16, 200Mhz, Ind temp 860库存量
436预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C W9425G6KH Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR 1,195库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb LPDDR, x32, 200MHz 73库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz VFBGA-90 16 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C W949D2DB Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz 142库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 34库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray 101库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray 159库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A) 189库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1A Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 7,086库存量
9,600预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3,665库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM 3,687库存量
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885库存量
最低: 1
倍数: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C