+ 125 C 动态随机存取存储器

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Micron MT40A2G8AG-062E AUT:F
Micron 动态随机存取存储器 DDR4 16Gbit 8 78/117TFBGA 1 UT
964库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 200

SDRAM - DDR4 16 Gbit 8 bit 1.6 GHz TFBGA-78 2 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 125 C Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR4 8Gbit 8 78/117TFBGA 1 UT
5库存量
3,780在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 625 ps 1.14 V 1.26 V - 40 C + 125 C 140S Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L
132库存量
190在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C IS46TR16256BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 无库存交货期 52 周
最低: 190
倍数: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED