动态随机存取存储器

结果: 772
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray
数据表
726预期 2027/1/21
最低： 1
倍数： 1
SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C AS4C512M8D4-83 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
数据表
645在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 1G, 128M x 8, 1.8V, 60-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp A Die - Tray
数据表
233预期 2026/12/1
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
数据表
496在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
数据表
3,575在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
680在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
Alliance Memory AS4C1G16D4A-62BCN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2v, 96-ball FBGA, 1600MHz, Commercial, RevA
数据表
340预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1

Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
数据表
846在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表
190在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32400F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
数据表
2,184在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile S动态随机存取存储器
数据表
348在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
数据表
190预期 2026/9/28
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
数据表
128在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16512BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
数据表
960预期 2027/8/9
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
数据表
1,479预期 2027/9/7
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 143Mhz,RoHS
数据表
2,159预期 2027/9/7
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
数据表
1,392在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16160K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
数据表
696在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
数据表
1,007在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR
数据表
348在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
数据表
300预期 2027/8/24
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器
数据表
265在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
数据表
292在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
数据表
418在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray
数据表
162预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray