MT53E256M32D1KS-046 AAT:L

Name: Micron Technology MT53E256M32D1KS-046 AAT:L
Brand: Micron
SKU: 340-722146-TRAY
Price: 405.53 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

340-722146-TRAY

制造商编号：

MT53E256M32D1KS-046 AAT:L

制造商：

Micron

说明：

动态随机存取存储器 LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 AT

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

MT53E256M32D1KS-046 AAT:L 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Micron Technology
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM Mobile - LPDDR4
存储容量:	8 Gbit
数据总线宽度:	32 bit
最大时钟频率:	2.133 GHz
封装 / 箱体:	VFBGA-200
组织:	256 M x 32
访问时间:	3.5 ns
电源电压-最小:	1.06 V
电源电压-最大:	1.95 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
封装:	Tray
商标:	Micron
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	1280
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

MT53E256M32D1KS-046 AAT:L 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-9-30 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

LPDDR4内存

Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。