Tray 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

结果: 350
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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
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电源电压-最小
电源电压-最大
工作电源电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 696
倍数： 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 270
倍数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 696
倍数： 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 270
倍数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 696
倍数： 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 270
倍数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 270
倍数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 696
倍数： 348

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,140
倍数： 570

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,140
倍数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,140
倍数： 570

DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 696
倍数： 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 696
倍数： 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 480
倍数： 240

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 216
倍数： 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 480
倍数： 240

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 216
倍数： 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 216
倍数： 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 480
倍数： 240

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 3.3V 32Mb 磁阻随机存取存储器 (MRAM) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 480
倍数： 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 480
倍数： 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray