M30162040108X0IWAY

Renesas Electronics
972-0162040108X0IWAY
M30162040108X0IWAY

制造商:

说明:
磁阻随机存取存储器 (MRAM) M30162040108X 16MB HIGH PERFORMANCE QSPI 108MHZ IND MR

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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Renesas Electronics
产品种类: 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:  
M3016204
Tray
商标: Renesas Electronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: MRAM
工厂包装数量: 225
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

Mxxxx204高性能串行MRAM存储器

Renesas Electronics Mxxxx204高性能串行MRAM存储器是磁阻随机存取存储器 (MRAM),具有的密度范围为4Mb至16Mb。MRAM技术类似于闪存技术,具有SRAM兼容读/写定时(永久性SRAM、P-SRAM)。数据始终是非易失性的。

库存量: 212

库存:
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该产品已停产,库存售罄后将不再提供。
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
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预估关税:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥389.2624 ¥389.26
¥359.8937 ¥3,598.94
¥351.1249 ¥8,778.12
¥319.7787 ¥71,950.21