+ 85 C NAND闪存

结果: 304
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
Alliance Memory NAND闪存 SLC Parallel NAND闪存, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND闪存, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
数据表
410预期 2027/1/21
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 4 G x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
96在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
数据表
96预期 2026/12/2
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 5,700
倍数： 5,700
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray