- 40 C NAND闪存

结果: 382
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
Micron NAND闪存 SLC 1G 1GX1 TBGA
数据表
产品评论
100库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TBGA-24 MT29F 1 Gbit SPI 1 G x 1 Asynchronous 1 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron NAND闪存 SLC 1Gbit 1 16/16 SOIC 1 AT
数据表
产品评论
2库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT SOIC-16 MT29F 1 Gbit SPI 1 G x 1 Asynchronous 1 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 105 C Tray
Micron NAND闪存 SLC 2G 2GX1 UPDFN
产品评论
1库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
: 4,000

SMD/SMT UPDFN-8 MT29F 2 Gbit SPI 2 G x 1 Asynchronous 1 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron NAND闪存 SLC 4Gbit 8 48/48 TSOP 1 AT
数据表
产品评论
2库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT TSOP-I-48 MT29F 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 105 C Tray
Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 1.8V
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 W25N02JW 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 3V
数据表
98库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube

Winbond NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 3V
数据表
4库存量
4,947预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 1G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8
数据表
122库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 W29N01HV 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray
Winbond NAND闪存 1G-bit NAND flash, 1.8V, 1-bit ECC x8
数据表
74库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 W29N01HZ 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 25 mA - 40 C + 85 C Tray
Winbond NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8
数据表
43库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-48 W29N02KV 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
数据表
产品评论
38库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-63 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
产品评论
127库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
数据表
产品评论
91库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT FBGA-67 8 Gbit Parallel 1 G x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND闪存 SPI SLC NAND闪存, 2Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
数据表
301库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT LGA-8 2 Gbit Quad SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.98 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory AS5F18G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND闪存 SPI SLC NAND闪存, 8Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
数据表
350库存量
352预期 2026/11/30
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT LGA-8 8 Gbit Quad SPI 1 G x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.98 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
16库存量
220在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
7库存量
660在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
3库存量
96预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G081 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G084 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Bulk
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 3.3V 104MHz Serial NAND闪存
数据表
767库存量
7,680在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
数据表
107库存量
176在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
3,950在途量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape