R1LV0216BSB-5SI#B1

Renesas Electronics
968-R1LV0216BSB5SIB1
R1LV0216BSB-5SI#B1

制造商:

说明:
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 2MB ADV. 3V TSOP44 55NS -40TO85C

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: 静态随机存取存储器
交货限制:
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RoHS:  
2 Mbit
128 k x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
25 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Tray
商标: Renesas Electronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: R1LV0208BSB
工厂包装数量: 135
子类别: Memory & Data Storage
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已选择的属性: 0

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合规代码
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
ECCN:
3A991.b.2.a
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SRAM存储器和数据存储产品

Renesas Electronics SRAM内存和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术,具有高密度和高性能RAM。这些SRAM产品在-40°C至85°C宽温度范围内工作,电压范围为2.7V至3.6V(3V部分)或4.5V至5.5V(5V部分)。SRAM内存和数据存储产品还具有低功耗待机功耗,适用于内存应用、电池工作和电池备份设计。

供货情况

库存:

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape
供货情况:
单价:
¥27.459
最小:
1