MICROFJ-30035-TSV-TR

onsemi
863-MFJ30035TSVTR
MICROFJ-30035-TSV-TR

制造商：

说明：
光电二极管 J-SERIES 3MM 35U TSV

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 光电二极管
RoHS:  
Photodiode Arrays
SMD/SMT
420 nm
1.9 uA
110 ps
- 40 C
+ 85 C
J-Series SIPM
商标: onsemi
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: Photodiodes
工厂包装数量: 3000
子类别: Optical Detectors & Sensors
商标名: SensL
单位重量: 2.012 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490010
USHTS:
8541491050
JPHTS:
854149000
TARIC:
8541490000
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器

安森美半导体J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器优化用于高性能定时应用，如ToF-PET（飞行时间正电子发射断层扫描）。得益于增加的微电池密度，J系列传感器可以实现50％的光子探测效率 (PDE)，并且灵敏度可以扩展至UV级。这些传感器具有业界领先的暗计数率（低至50kHz/mm2），由于采用大容量CMOS硅工艺，因此具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。J系列传感器有3mm、4mm和6mm尺寸可供选择，采用TSV芯片级封装，与行业标准无铅笔回流焊接工艺兼容。J系列传感器还采用了安森美半导体独特的快速输出，可实现快速定时功能。

硅光电倍增管 (SiPM)

安森美 (onsemi) 硅光电倍增管 (SiPM) 具有高增益、快速定时和出色的PDE，以及与固态技术 (SST) 相关的实际优势。 这些安森美 (onsemi) SiPM具有快速输出端子，采用CMOS工艺制造。SiPM产品线中的所有传感器均具有 ±250mV击穿电压均匀性，低温系数为21mV/°C，偏置电压 <30V。这些SiPM非常适合用于医学成像、危险和威胁、3D测距和成像，以及高能物理。

供货情况

库存：
0

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在途量:
2,990
预期 2027/1/1
6,000
预期 2027/1/15
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥164.6862 ¥164.69
¥147.0695 ¥1,470.70
¥143.1823 ¥14,318.23
¥139.0465 ¥69,523.25
¥132.5151 ¥132,515.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥123.8254 ¥371,476.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
MICROFJ-30035-TSV-TR1
包装:
Cut Tape
供货情况:
库存量
单价:
¥446.7455
最小:
1

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