无源元件

结果: 135
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Vishay VJ0505D120JXPQJ
Vishay 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT VJ0505 HIFREQ 120 0.05 Ni barrier, tin lead finish 250V marked 7" reel
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YAGEO 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT CQ,Ceramic,12 pF,5%,25 VDC,C0G,0201 / 0603
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Vishay VJ2008A120JXUSTX1A
Vishay 安全电容器 VJ2008A120JXUSTX1A
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Renesas Electronics XG12P156250001000K
Renesas Electronics 标准时钟振荡器 XG12P1 PROXOLITE - HIGH PERFORMANCE MODE (78.12
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Johanson Dielectrics 安全电容器 SAFE 2211 120pF 10% 5KV
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Johanson Dielectrics 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT HI V 2220 12pF 5% 500V
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Johanson Technology QEDB102Q120J1GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 5% Cu/Sn
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C + 125 C C0G (NP0) 5 %
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C+ 125 C 10 % C0G (NP0)
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C+ 125 C 5 % C0G (NP0)
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 12 pF 250 VDC - 55 C+ 125 C 5 % C0G (NP0)
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C+ 125 C 5 % C0G (NP0)
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SiTime TCXO振荡器 SiT5358, 0 to 70C, 5.0x3.2, 50 ppb, 2.5V, 12.8MHz, OE (DCTCXO), 12.5 ppm, Clipped Sinewave, 25 pcs T&R
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 12 pF 250 VDC - 55 C+ 125 C 10 % C0G (NP0)
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Johanson Dielectrics 安全电容器 SAFE 1808 12pF 5% 5KV
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Johanson Technology QEDB152Q120J3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1500V 12pF 5% Cu/Sn
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Johanson Dielectrics 安全电容器 SAFE 2211 18pF 10% 5KV
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Johanson Dielectrics 安全电容器 SAFE 1808 12pF 10% 5KV
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C+ 125 C 5 % C0G (NP0)
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Johanson Dielectrics 安全电容器 SAFE 2211 27pF 10% 5KV
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Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C+ 125 C 10 % C0G (NP0)
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Knowles Syfer 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250 VDC 12 pF - 55 C+ 125 C 10 % C0G (NP0)
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Johanson Technology QEDB152Q120F3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1500V 12pF 1% Cu/Sn
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Johanson Technology QSCT251Q120G3GU001E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0805 Hi-Q NP0/C0G 250V 12pF 2% Cu/Sn
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Johanson Technology QEDB102Q120G3GV002E
Johanson Technology 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 12pF 2% Ni/Sn AEC-Q200
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