935151493547-T3N

Murata Electronics
81-935151493547-T3N
935151493547-T3N

制造商：

说明：
基于硅的射频电容器/薄膜电容器

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Murata
产品种类: 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
交货限制:
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RoHS:  
47 nF
3.8 V
0201 (0806 metric)
15 %
UBSC
70 PPM / C
- 55 C
+ 150 C
RF Capacitors
SMD/SMT
Reel
商标: Murata Electronics
外壳代码 - in: 0201
外壳代码 - mm: 0806
高度: 0.4 mm
长度: 0.8 mm
产品类型: Silicon RF Capacitors / Thin Film
工厂包装数量: 1000
子类别: Capacitors
类型: Ultra-Broadband
电压额定值 DC: 3.8 VDC
宽度: 0.6 mm
零件号别名: 935151493547
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数据表

合规代码
USHTS:
8532290040
TARIC:
8532290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
法国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

超宽带硅电容器

Murata / IPDiA超宽带硅电容器是光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等各种光电产品）以及高速数据系统和产品的理想选择。Murata超宽带硅电容器设计用于DC阻断、反馈、耦合与旁路接地应用。这些电容器在宽频率范围内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性（频率范围：UBSC/UBEC为16kHz至60GHz，ULSC/ULEC为16kHz至20GHz；UWSC在26GHz频率下具有高抑制性能）。这些深沟槽硅电容器均采用半导体MOS工艺开发。

BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器

Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器面向光通信系统（ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件）以及高速数据系统或产品。这些电容器设计用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。这些硅电容器在宽频率范围（UBSC为16kHz至67GHz，BBSC为16kHz至40GHz，ULSC为16kHz至20GHz）内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器设计采用半导体MOS工艺，可在过电压 (0.1%/V) 和超温 (60ppm/K) 条件下提供高可靠性和电容稳定性。

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