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935154529315-W0T

Name: Murata 935154529315-W0T
Brand: Murata Electronics
SKU: 961-935154529315
Price: 7.54 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

961-935154529315

制造商编号：

935154529315-W0T

制造商：

Murata Electronics

说明：

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 150pF, 26+GHz, -55/+150 C, 015015 [0.381.x.0.381mm], Thickness : 100 m, BV: 150V

数据表:

935154529315-W0T 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Murata
产品种类:	基于硅的射频电容器/薄膜电容器
RoHS:
电容:	150 pF
系列:	UWSC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
端接类型:	Wire
封装:	Waffle
商标:	Murata Electronics
高度:	0.1 mm
长度:	0.381 mm
产品类型:	Silicon RF Capacitors / Thin Film
工厂包装数量:	400
子类别:	Capacitors
宽度:	0.381 mm
零件号别名:	935154529315

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数据表

935154529315-W0T 数据表

Conflict Material Declaration (电子表格)

合规代码

CNHTS:: 8532290000
USHTS:: 8532290040
TARIC:: 8532290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 法国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

UWSC超宽带引线接合式硅电容器

Murata UWSC超宽带引线接合式硅电容器面向光通信系统（ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件）以及高速数据系统或产品。UWSC元件设计用于直流去耦和旁路应用，因为这些电容器在高于26GHz的频率下具有高抑制性能。UWSC电容器采用深沟槽和MOS半导体工艺制造而成，可满足低电容和高电容要求。

超宽带硅电容器

Murata / IPDiA超宽带硅电容器是光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等各种光电产品）以及高速数据系统和产品的理想选择。Murata超宽带硅电容器设计用于DC阻断、反馈、耦合与旁路接地应用。这些电容器在宽频率范围内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性（频率范围：UBSC/UBEC为16kHz至60GHz，ULSC/ULEC为16kHz至20GHz；UWSC在26GHz频率下具有高抑制性能）。这些深沟槽硅电容器均采用半导体MOS工艺开发。

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。

生产周期：: 20 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 400 倍数： 400

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥8.5202	¥3,408.08
	¥8.2716	¥9,925.92
	¥5.3449	¥10,689.80

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制造商： Murata Electronics

说明： 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 150pF, 26+GHz, -55/+150 C, 015015 [0.381.x.0.381mm], Thickness : 100 m, BV: 150V

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超宽带硅电容器

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Murata Electronics

说明：

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Ultra large band vertical Wirebond low profile Si Cap 150pF, 26+GHz, -55/+150 C, 015015 [0.381.x.0.381mm], Thickness : 100 m, BV: 150V