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0 PPM / C 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

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结果: 3

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	数量	电容	电压额定值	封装 / 箱体	容差	系列	温度系数	最小工作温度	最大工作温度	封装
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 7200V 100pF .38x.38" 2% Laser Marking 700E101GTN7200XT KYOCERA AVX 受限供货情况工厂特别订单	制造商零件编号 700E101GTN7200XT Mouser 零件编号 581-700E101GTN7200XT 工厂特别订单	KYOCERA AVX	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 7200V 100pF .38x.38" 2% Laser Marking	数据表	更多信息可用	受限供货情况	100 pF	200 V	3838 (9696 metric)	2 %	700E	0 PPM / C	- 55 C	+ 125 C	Reel
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3600V 510pF .38x.38" 1% Laser Marking 800E511FTN3600XJ24 KYOCERA AVX 受限供货情况工厂特别订单	制造商零件编号 800E511FTN3600XJ24 Mouser 零件编号 581-800E511FTN36XJ24 工厂特别订单	KYOCERA AVX	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3600V 510pF .38x.38" 1% Laser Marking	数据表	更多信息可用	受限供货情况	510 pF	3.6 kV	3838 (9696 metric)	5 %	800E	0 PPM / C	- 55 C	+ 125 C	Tray
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 500V 3.6pF .11x.11" Tol .1pF Laser Marking 700B3R6BTN500XT KYOCERA AVX 受限供货情况工厂特别订单	制造商零件编号 700B3R6BTN500XT Mouser 零件编号 581-700B3R6BTN500XT 工厂特别订单	KYOCERA AVX	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 500V 3.6pF .11x.11" Tol .1pF Laser Marking	数据表		受限供货情况	3.6 pF	500 V	1111 (2828 metric)	0.1 pF	700B	0 PPM / C	- 55 C	+ 175 C	Reel

0 PPM / C 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

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