CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 77
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
100库存量
¥919.933
¥919.8426
最低： 10
倍数： 10
GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
90库存量
¥987.3375
¥987.2358
最低： 10
倍数： 10
GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
数据表
98库存量
剪切带
¥500.703
¥469.8653
¥463.8763
¥463.6955
卷轴
¥450.1581
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100
GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
¥822.8434
¥821.7134
¥753.6196
报价
最低： 10
倍数： 10
GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
100库存量
¥281.8333
¥275.3132
¥263.855
最低： 10
倍数： 10
GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
¥1,254.752
¥1,253.1022
查看
最低： 10
倍数： 10
GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
3库存量
剪切带
¥486.7136
卷轴
¥486.7136
¥421.3092
最低： 1
倍数： 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
20库存量
¥505.3021
最低： 1
倍数： 1
GaAs 26 GHz 19 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
3库存量
剪切带
¥728.172
卷轴
¥728.172
¥657.208
最低： 1
倍数： 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
20库存量
¥258.1259
¥256.9959
查看
最低： 1
倍数： 1
GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
10库存量
¥312.2303
报价
最低： 1
倍数： 1
GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
10库存量
剪切带
¥1,189.0086
卷轴
¥1,189.0086
¥1,188.8278
报价
最低： 1
倍数： 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
10预期 2026/11/3
¥163.8048
¥156.9344
¥145.2163
最低： 10
倍数： 10
N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
无库存交货期 27 周
剪切带
¥564.5367
最低： 1,000
倍数： 10
: 10
GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥129.3172
¥129.2381
最低： 1
倍数： 1
GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥215.2989
¥215.2198
最低： 1
倍数： 1
GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥566.0057
最低： 1
倍数： 1
GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥489.8437
最低： 10
倍数： 10
GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
交货期 27 周
¥711.1429
最低： 10
倍数： 10
GaAs 220 mA 12 GHz 10 dB 26 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥554.8865
最低： 1
倍数： 1
GaAs 12 GHz 12 dB 22 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥525.6308
¥493.0642
最低： 10
倍数： 10
GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
¥678.0452
最低： 1
倍数： 1
GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
GaAs 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MMA-005022C
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
N-Channel GaAs 340 mA 10 V 30 kHz to 50 GHz 15.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die-21 Gel Pack
CML Micro MMA-012030
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack