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昴氏(上海)电子贸易有限公司
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CML Micro
电子元器件
射频与无线产品
RF晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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CML Micro
晶体管极性
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
N-Channel
P-Channel
重置
26 mA
40 mA to 60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
120 mA
150 mA to 190 mA
160 mA to 200 mA
175 mA
180 mA to 220 mA
220 mA
240 mA to 280 mA
250 mA to 300 mA
250 mA to 500 mA
310 mA to 360 mA
340 mA
440 mA to 800 mA
500 mA
≤
≥
重置
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12.5 V
≤
≥
重置
173 Ohms
≤
≥
重置
30 kHz to 50 GHz
100 MHz to 20 GHz
100 MHz to 26.5 GHz
500 MHz to 26 GHz
12 GHz
18 GHz
26 GHz
28 GHz
≤
≥
重置
8 dB, 11 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
11 dB
12 bB
12 dB
12.5 dB
13 dB
14 dB
15 dB
15.5 dB
16 dB
19 dB
≤
≥
重置
16 dBm
20 dBm
21 dBm
21.5 dBm
22 dBm
23 dBm
24 dBm
24.5 dBm
25 dBm
26 dBm
26.5 dBm
27.5 dBm
28 dBm
28.5 dBm
29.5 dBm
30 dBm
30.5 dBm
32 dBm
≤
≥
重置
- 40 C
≤
≥
重置
+ 85 C
+ 150 C
≤
≥
重置
SMD/SMT
重置
Die
Die-21
重置
Bulk
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Gel Pack
MouseReel
Reel
重置
重置所有
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晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
CML Micro MWT-9F71
MWT-9F71
CML Micro
受限供货情况
NRND
制造商零件编号
MWT-9F71
Mouser 零件编号
938-MWT-9F71
NRND
CML Micro
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
受限供货情况
N-Channel
GaAs
18 GHz
11 dB
26.5 dBm
SMD/SMT
Die
Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
CML Micro MWT-9F73
MWT-9F73
CML Micro
受限供货情况
NRND
制造商零件编号
MWT-9F73
Mouser 零件编号
938-MWT-9F73
NRND
CML Micro
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
受限供货情况
N-Channel
GaAs
18 GHz
11 dB
26.5 dBm
SMD/SMT
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