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JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
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1:
¥598.674
-
592库存量
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Mouser 零件编号
431-UG3SC120009K4S
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onsemi
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JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
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592库存量
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最低: 1
倍数: 1
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MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
- MSC017SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
¥393.9745
-
160库存量
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Mouser 零件编号
579-MSC017SMA120S
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Microchip Technology
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MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
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160库存量
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最低: 1
倍数: 1
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分立半导体模块 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
¥243.7636
-
399库存量
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Mouser 零件编号
148-GCMS080B120S1-E1
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SemiQ
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分立半导体模块 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
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399库存量
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最低: 1
倍数: 1
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
¥102.2424
-
834库存量
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Mouser 零件编号
863-AFGHL50T65SQDC
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onsemi
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
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834库存量
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最低: 1
倍数: 1
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MOSFET模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥5,906.3405
-
4库存量
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Mouser 零件编号
755-BSM180C12P2E202
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ROHM Semiconductor
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MOSFET模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
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4库存量
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最低: 1
倍数: 1
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
¥99.5078
-
417库存量
-
NRND
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Mouser 零件编号
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
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onsemi
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
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417库存量
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最低: 1
倍数: 1
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分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
¥318.7052
-
18库存量
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Mouser 零件编号
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
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分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
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18库存量
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最低: 1
倍数: 1
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MOSFET模块 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥6,103.6159
-
4库存量
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Mouser 零件编号
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
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MOSFET模块 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
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4库存量
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最低: 1
倍数: 1
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MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
¥238.2266
-
31库存量
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Mouser 零件编号
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
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MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
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31库存量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
¥1,156.1708
-
42库存量
-
100预期 2027/1/14
-
新产品
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Mouser 零件编号
772-QPD1004ASR
新产品
|
Qorvo
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GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1004
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42库存量
100预期 2027/1/14
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最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
100
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GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
¥566.1865
-
90库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1011ASR
新产品
|
Qorvo
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GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1011
|
|
90库存量
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最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
100
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GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
¥686.0456
-
90库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
772-QPD1014ASR
新产品
|
Qorvo
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GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1014
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90库存量
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最低: 1
倍数: 1
最大: 25
:
100
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IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
- APT100GT120JU3
- Microchip Technology
-
1:
¥312.9987
-
23库存量
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Mouser 零件编号
494-APT100GT120JU3
|
Microchip Technology
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IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
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23库存量
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最低: 1
倍数: 1
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG25N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥40.9399
-
882库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-AIGBG25N120S7ATM
新产品
|
Infineon Technologies
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
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882库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
1,000
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥32.6683
-
473库存量
-
2,000在途量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-AIGBG15N120S7ATM
新产品
|
Infineon Technologies
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绝缘栅双极晶体管(IGBT) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
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|
473库存量
2,000在途量
在途量:
1,000 预期 2026/10/15
1,000 预期 2027/2/18
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最低: 1
倍数: 1
:
1,000
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥157.8271
-
1,670库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IMT44R011M2HXTMA
新产品
|
Infineon Technologies
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
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1,670库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
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MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF150SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
¥619.127
-
292库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
78-VS-SF150SA120
新产品
|
Vishay Semiconductors
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MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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|
292库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF100SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
¥498.2848
-
232库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
78-VS-SF100SA120
新产品
|
Vishay Semiconductors
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MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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232库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
|
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分立半导体模块 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,107.40
-
81库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-FF06MR12A04MA2AK
新产品
|
Infineon Technologies
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分立半导体模块 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
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|
81库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥166.4264
-
371库存量
-
240预期 2026/11/5
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IDWD25G200C5XKSA
新产品
|
Infineon Technologies
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肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
|
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371库存量
240预期 2026/11/5
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
- IDWD50G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥271.313
-
106库存量
-
240预期 2026/11/5
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IDWD50G200C5XKSA
新产品
|
Infineon Technologies
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肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
|
|
106库存量
240预期 2026/11/5
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥149.7137
-
207库存量
-
1,800预期 2026/10/22
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IMLT40R011M2HXTM
新产品
|
Infineon Technologies
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
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207库存量
1,800预期 2026/10/22
|
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最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
|
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥115.9719
-
1,758库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMLT40R015M2HXTM
新产品
|
Infineon Technologies
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
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1,758库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R036M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥68.5684
-
1,799库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
726-IMLT40R036M2HXTM
新产品
|
Infineon Technologies
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,799库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
|
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MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R045M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥58.3984
-
1,795库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMLT40R045M2HXTM
新产品
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,795库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,800
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