碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm2 至15J/cm2 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。

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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 700 V 30 A TO-247
数据表
159在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700 V, 20 A SiC SBD
数据表
220在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700V, 30A SiC SBD
数据表
210预期 2026/10/2
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
数据表
76在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化硅肖特基二极管 700V, 50A SiC SBD
数据表
150预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
数据表
150预期 2026/10/14
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology 二极管模块 PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

Diode Modules SiC Screw Mount SOT-227-4
Microchip Technology APTMC120TAM17CTPAG
Microchip Technology 分立半导体模块 DOR CC6542
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si