2.3 GHz to 2.7 GHz 半导体

结果: 16
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Mini-Circuits 射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50? 318库存量
500预期 2026/11/16
剪切带
¥35.2334
¥33.9113
¥32.5892
¥29.6964
卷轴
¥29.6964
最低: 1
倍数: 1
: 500
Guerrilla RF 射频放大器 High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz 1,457库存量
剪切带
¥52.1156
¥39.9568
¥36.8945
¥33.5836
卷轴
¥30.1936
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Infineon Technologies 射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,995库存量
剪切带
¥47.8103
¥36.4764
¥33.5836
¥30.4422
卷轴
¥27.7076
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Infineon Technologies 射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,873库存量
剪切带
¥47.4826
¥38.5443
¥35.9792
¥32.8378
卷轴
¥27.459
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 303库存量
剪切带
¥576.6164
¥477.6849
¥453.6159
¥451.1299
卷轴
¥429.626
最低: 1
倍数: 1
: 300
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ 12,980库存量
剪切带
¥4.5539
¥3.6612
¥3.3561
¥2.9945
卷轴
¥2.3617
最低: 1
倍数: 1
: 12,000
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP 90库存量
剪切带
¥498.0362
¥436.8241
¥415.6479
卷轴
¥399.1047
¥383.5559
最低: 1
倍数: 1
: 100
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500在途量
剪切带
¥245.3343
¥214.3158
¥203.4791
¥188.7552
¥177.9185
卷轴
¥173.8731
最低: 1
倍数: 1
: 500
Qorvo 射频放大器 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
2,500预期 2026/12/24
剪切带
¥66.5909
¥51.2794
¥47.4826
¥43.3468
卷轴
¥39.8664
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

pSemi 射频前端 Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz 无库存
卷轴
¥54.3417
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

pSemi 射频前端 Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz 无库存
卷轴
¥62.4551
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
Infineon Technologies 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS 交货期 12 周
剪切带
¥8.9383
¥6.3732
¥5.7404
¥5.0511
卷轴
¥4.0793
最低: 1
倍数: 1
: 7,500
Analog Devices 射频前端 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP