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射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50?
- YSF-272+
- Mini-Circuits
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1:
¥35.2334
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318库存量
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500预期 2026/11/16
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Mouser 零件编号
139-YSF-272+
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Mini-Circuits
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射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50?
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318库存量
500预期 2026/11/16
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最低: 1
倍数: 1
:
500
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射频放大器 High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz
- GRF5226
- Guerrilla RF
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1:
¥52.1156
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1,457库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
459-GRF5226
新产品
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Guerrilla RF
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射频放大器 High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz
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1,457库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
1,500
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射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE
- BGAP2D20AE6327XTSA1
- Infineon Technologies
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1:
¥47.8103
-
1,995库存量
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Mouser 零件编号
726-BGAP2D20AE6327XT
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Infineon Technologies
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射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE
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1,995库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
2,000
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射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE
- BGAP2S20AE6327XTSA1
- Infineon Technologies
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1:
¥47.4826
-
1,873库存量
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Mouser 零件编号
726-BGAP2S20AE6327XT
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Infineon Technologies
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射频放大器 WIRELESS INFRASTRUCTURE
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1,873库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
2,000
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G2327N71DYZ
- Ampleon
-
1:
¥576.6164
-
303库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-B11G2327N71DYZ
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
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303库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
300
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射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
- BGA9H1BN6E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4.5539
-
12,980库存量
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Mouser 零件编号
726-BGA9H1BN6E6327XT
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Infineon Technologies
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射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
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12,980库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
12,000
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
- BLM9D2327S-50PBGY
- Ampleon
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1:
¥498.0362
-
90库存量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-BLM9D2327S-50PBGY
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
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90库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
100
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
- BLM9D2327-26BZ
- Ampleon
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1:
¥245.3343
-
1,500在途量
-
Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-BLM9D2327-26BZ
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
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1,500在途量
在途量:
1,000 待发货
500 预期 2026/12/21
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最低: 1
倍数: 1
:
500
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射频放大器 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
- QPA9807TR13
- Qorvo
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1:
¥66.5909
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2,500预期 2026/12/24
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Mouser 零件编号
772-QPA9807TR13
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Qorvo
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射频放大器 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
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2,500预期 2026/12/24
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最低: 1
倍数: 1
:
2,500
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射频前端 Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
- PE53111A-Z
- pSemi
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3,000:
¥54.3417
-
无库存
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Mouser 零件编号
81-PE53111A-Z
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pSemi
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射频前端 Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
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无库存
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最低: 3,000
倍数: 3,000
:
3,000
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射频前端 Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
- PE53211A-Z
- pSemi
-
3,000:
¥62.4551
-
无库存
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Mouser 零件编号
81-PE53211A-Z
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pSemi
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射频前端 Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
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无库存
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最低: 3,000
倍数: 3,000
:
3,000
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射频放大器 RF BIP TRANSISTORS
- BGB 707L7ESD E6327
- Infineon Technologies
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1:
¥8.9383
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交货期 12 周
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寿命结束
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Mouser 零件编号
726-BGB707L7ESDE6327
寿命结束
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Infineon Technologies
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射频放大器 RF BIP TRANSISTORS
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交货期 12 周
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最低: 1
倍数: 1
:
7,500
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射频前端 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End
- ADRF5532BCPZN
- Analog Devices
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限制装运
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Mouser 零件编号
584-ADRF5532BCPZN
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Analog Devices
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射频前端 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP
- B10G2327N55DZ
- Ampleon
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受限供货情况
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Mouser 的新产品
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Mouser 零件编号
94-B10G2327N55DZ
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G2327N71DX
- Ampleon
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受限供货情况
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Mouser 零件编号
94-B11G2327N71DX
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
- BLM9D2327-26BX
- Ampleon
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受限供货情况
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Mouser 零件编号
94-BLM9D2327-26BX
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
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