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交流/直流转换器 Int Off-Line Switchr 120W/162W
- TOP269EG
- Power Integrations
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1:
¥20.3513
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917库存量
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Mouser 零件编号
869-TOP269EG
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Power Integrations
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交流/直流转换器 Int Off-Line Switchr 120W/162W
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917库存量
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
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1:
¥1,615.0299
-
18库存量
-
NRND
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Mouser 零件编号
511-RF5L15120CB4
NRND
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STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18库存量
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最低: 1
倍数: 1
:
100
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交流/直流转换器 120 W 85-265 VAC
- TNY5077E
- Power Integrations
-
1:
¥18.7806
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881库存量
-
新产品
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Mouser 零件编号
869-TNY5077E
新产品
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Power Integrations
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交流/直流转换器 120 W 85-265 VAC
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881库存量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
- CG2H40120F
- MACOM
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1:
¥5,560.6057
-
20库存量
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Mouser 零件编号
941-CG2H40120F
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
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20库存量
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
- CGH40120F
- MACOM
-
1:
¥4,614.5245
-
154库存量
-
375在途量
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Mouser 零件编号
941-CGH40120F
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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154库存量
375在途量
在途量:
150 预期 2026/10/21
225 预期 2027/4/6
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
- DU28120V
- MACOM
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40:
¥2,424.98
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无库存交货期 26 周
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Mouser 零件编号
937-DU28120V
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MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
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无库存交货期 26 周
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最低: 40
倍数: 40
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音频放大器 2 x 180 W / 1 x 300 W PWM digital input power amplifier with built-in diagnostic
- FDA2100LV
- STMicroelectronics
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无库存交货期 52 周
-
NRND
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Mouser 零件编号
511-FDA2100LV
NRND
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STMicroelectronics
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音频放大器 2 x 180 W / 1 x 300 W PWM digital input power amplifier with built-in diagnostic
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无库存交货期 52 周
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
- CG2H80120D-GP4
- MACOM
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受限供货情况
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Mouser 零件编号
941-CG2H80120D-GP4
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
- CGH60120D-GP4
- MACOM
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受限供货情况
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Mouser 零件编号
941-CGH60120D
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MACOM
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GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
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