|
|
分立半导体模块 SiC, Module, 8m, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial
- CAB008A12GM3
- Wolfspeed
-
1:
¥1,695.678
-
33库存量
|
Mouser 零件编号
941-CAB008A12GM3
|
Wolfspeed
|
分立半导体模块 SiC, Module, 8m, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial
|
|
33库存量
|
|
|
¥1,695.678
|
|
|
¥1,473.4183
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
|
MOSFET模块 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
- BSM600D12P3G001
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥17,281.0222
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM600D12P3G001
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
|
|
4库存量
|
|
|
¥17,281.0222
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
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|
|
MOSFET模块 Mod: 1200V 180A (no Diode)
- BSM180D12P2C101
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥4,477.3312
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM180D12P2C101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 Mod: 1200V 180A (no Diode)
|
|
2库存量
|
|
|
¥4,477.3312
|
|
|
¥4,153.4167
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM400C12P3G202
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥9,324.4097
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM400C12P3G202
|
ROHM Semiconductor
|
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4库存量
|
|
|
¥9,324.4097
|
|
|
¥7,864.5514
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
- MSCSM120HM063CAG
- Microchip Technology
-
1:
¥6,707.3523
-
1库存量
|
Mouser 零件编号
579-MSCSM120HM063CAG
|
Microchip Technology
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
|
|
1库存量
|
|
|
¥6,707.3523
|
|
|
查看
|
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|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
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|
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- MSCSM120HM31CT3AG
- Microchip Technology
-
1:
¥1,597.3341
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
494-120HM31CT3AG
|
Microchip Technology
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
|
|
4库存量
|
|
|
¥1,597.3341
|
|
|
¥1,597.2437
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
¥238.2266
-
33库存量
|
Mouser 零件编号
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
33库存量
|
|
|
¥238.2266
|
|
|
¥207.5358
|
|
|
¥197.1963
|
|
|
¥179.5796
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB53BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥315.4734
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
726-DFW1H5FPB53BPSA2
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
30库存量
|
|
|
¥315.4734
|
|
|
¥241.9443
|
|
|
¥224.4067
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 PMIC, AC/DC Converter IC with 15-27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
- BM2SC124FP2-LBZE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥108.3557
-
581库存量
|
Mouser 零件编号
755-BM2SC124FP2LBZE2
|
ROHM Semiconductor
|
交流/直流转换器 PMIC, AC/DC Converter IC with 15-27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
|
|
581库存量
|
|
|
¥108.3557
|
|
|
¥85.4506
|
|
|
¥79.2469
|
|
|
¥73.6195
|
|
|
查看
|
|
|
¥66.9977
|
|
|
¥72.9528
|
|
|
¥66.9977
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current
- BM61S40RFV-CE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥39.0415
-
1,648库存量
|
Mouser 零件编号
755-BM61S40RFV-CE2
|
ROHM Semiconductor
|
栅极驱动器 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current
|
|
1,648库存量
|
|
|
¥39.0415
|
|
|
¥29.6964
|
|
|
¥27.3008
|
|
|
¥24.7357
|
|
|
查看
|
|
|
¥21.5039
|
|
|
¥23.6622
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥22.0802
|
|
|
¥21.5039
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,500
|
|
|
|
|
IGBT 模块 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
- NXH400N100H4Q2F2PG
- onsemi
-
1:
¥1,878.5685
-
35库存量
|
Mouser 零件编号
863-H400N100H4Q2F2PG
|
onsemi
|
IGBT 模块 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
|
|
35库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
¥310.6822
-
18库存量
|
Mouser 零件编号
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB54BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥315.722
-
28库存量
|
Mouser 零件编号
726-DFW1H5FPB54BPSA2
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
28库存量
|
|
|
¥315.722
|
|
|
¥235.1643
|
|
|
¥224.4067
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
- NXH80B120MNQ0SNG
- onsemi
-
1:
¥590.0973
-
37库存量
|
Mouser 零件编号
863-NXH80B120MNQ0SNG
|
onsemi
|
MOSFET模块 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
|
|
37库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
二极管模块 PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
- MSCDC50H1201AG
- Microchip Technology
-
1:
¥780.3441
-
8库存量
|
Mouser 零件编号
494-MSCDC50H1201AG
|
Microchip Technology
|
二极管模块 PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
|
|
8库存量
|
|
|
¥780.3441
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥6,030.245
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4库存量
|
|
|
¥6,030.245
|
|
|
¥5,912.951
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
电流隔离式栅极驱动器 PRIMARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
- AHV85003K18ESTR
- Allegro MicroSystems
-
1:
¥14.3058
-
8,570库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
250-AHV85003K18ESTR
新产品
|
Allegro MicroSystems
|
电流隔离式栅极驱动器 PRIMARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
|
|
8,570库存量
|
|
|
¥14.3058
|
|
|
¥10.509
|
|
|
¥9.5146
|
|
|
¥8.4411
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.9269
|
|
|
¥7.8987
|
|
|
¥7.5823
|
|
|
¥7.4919
|
|
|
¥6.9269
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,500
|
|
|
|
|
分立半导体模块 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
- FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,046.8029
-
18库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-FF6MR20W2M1HQB70
新产品
|
Infineon Technologies
|
分立半导体模块 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
|
|
18库存量
|
|
|
¥2,046.8029
|
|
|
¥1,808.0113
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
- FS01M3R08A8MA2CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥5,677.1313
-
3库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-FS01M3R08A8MA2CH
新产品
|
Infineon Technologies
|
分立半导体模块 HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
|
|
3库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
- FS02MR08A7MA2BHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,787.4371
-
3库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-FS02MR08A7MA2BHP
新产品
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
|
|
3库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
- FS03M1R12A7MA2BHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,300.4071
-
4库存量
-
6预期 2026/10/22
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-FS03M1R12A7MA2BH
新产品
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
|
|
4库存量
6预期 2026/10/22
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
¥1,156.1708
-
37库存量
-
100预期 2027/1/14
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1004ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1004
|
|
37库存量
100预期 2027/1/14
|
|
|
¥1,156.1708
|
|
|
¥1,156.1708
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
¥566.1865
-
90库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1011ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1011
|
|
90库存量
|
|
|
¥566.1865
|
|
|
¥468.2155
|
|
|
¥443.7284
|
|
|
¥443.7284
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
¥686.0456
-
90库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1014ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1014
|
|
90库存量
|
|
|
¥686.0456
|
|
|
¥570.4466
|
|
|
¥544.999
|
|
|
¥544.999
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
|
|
MOSFET模块 SIC Pwr Module Half Bridge
- BSM300D12P3E005
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥12,964.4109
-
4库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
755-BSM300D12P3E005
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 SIC Pwr Module Half Bridge
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
