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IMZA65R026M2H 碳化硅MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥126.3905 2,313在途量 Mouser 的新产品	制造商零件编号 IMZA65R026M2HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZA65R026M2HXKS Mouser 的新产品	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets 的信息	数据表	2,313在途量订单发货日期制造商编号： IMZA65R026M2HXKSA1 库存： 0 在途量: 1,593 预期 2026/12/17 240 预期 2027/6/3 480 预期 2027/10/7 生产周期： 52 周	¥126.3905 ¥84.4562 ¥73.2918 ¥69.9809	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	64 A	33 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥131.5998 17库存量 3,600在途量 NRND	制造商零件编号 IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	17库存量 3,600在途量订单发货日期制造商编号： IMZA65R027M1HXKSA1 库存： 17 可立即发货在途量: 1,680 预期 2027/10/5 1,920 待定生产周期： 52 周	¥131.5998 ¥74.5235 ¥73.8681 ¥73.7777	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥121.7575 175库存量 NRND	制造商零件编号 IMZA65R030M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZA65R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	175库存量	¥121.7575 ¥68.4102 ¥66.8395	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement

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