IMZA65R075M2H 碳化硅MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2库存量
240在途量
¥67.2463
¥35.5724
¥32.6683
¥30.6908
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
¥37.5499
¥32.8378
最低: 240
倍数: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
¥72.4556
¥42.601
¥35.3238
¥35.1543
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 240库存量
¥51.3698
¥35.6515
¥32.9169
¥32.8378
¥30.2727
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC