IPAN60R180CM8XKSA1

Infineon Technologies
726-IPAN60R180CM8XKS
IPAN60R180CM8XKSA1

制造商:

说明:
MOSFET HIGH POWER_NEW

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
180 mOhms
20 V
4.7 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12.8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: 600V CM8
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 88.4 ns
典型接通延迟时间: 17.2 ns
零件号别名: IPAN60R180CM8 SP005591315
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
德国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
德国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

CoolMOS™ 8 SJ MOSFET

英飞凌CoolMOS™ 8 SJ MOSFET是高压超结MOSFET技术解决方案。英飞凌CoolMOS 8具有集成快速本体二极管,非常适合广泛的应用。CoolMOS 8是英飞凌CoolSiC和CoolGaN宽带隙器件组合的补充产品,是600V CoolMOS 7 MOSFET系列的后续产品。

库存量: 804

库存:
804
可立即发货
在途量:
1,000
预期 2027/3/11
生产周期:
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥25.6397 ¥25.64
¥14.1476 ¥141.48
¥11.413 ¥1,141.30
¥8.5202 ¥4,260.10
¥8.3507 ¥8,350.70
¥8.2603 ¥20,650.75
¥8.1021 ¥40,510.50