IPD18DP10LMATMA1

Infineon Technologies
726-IPD18DP10LMATMA1
IPD18DP10LMATMA1

制造商：

说明：
MOSFET IFX FET >80 - 100V

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Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
P-Channel
1 Channel
100 V
13.9 A
178 mOhms
20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFETs
系列: IPD18DP10
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
零件号别名: IPD18DP10LM SP005343850
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数据表

Product Catalogs

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

12V-250V P沟道功率MOSFET

Infineon 12V-250V P沟道功率MOSFET为设计人员提供一个新选项，以便在优化性能的同时简化电路。P沟道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。P沟道功率MOSFET非常适合用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低压驱动应用。

库存量: 687

库存：
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生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥17.1195 ¥17.12
¥8.2377 ¥82.38
¥7.3676 ¥736.76
¥5.8534 ¥2,926.70
¥5.5144 ¥5,514.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥4.8138 ¥12,034.50

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