IPP60R180CM8 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,690库存量
¥25.7301
¥12.8255
¥11.4921
¥9.266
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
500库存量
¥29.6964
¥14.9725
¥13.4809
¥10.9158
¥10.4186
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 210 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
224库存量
¥27.459
¥14.9725
¥13.4809
¥10.9158
¥10.509
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 210 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement Tube