IPZA65R025CM8XKSA1

Name: Infineon IPZA65R025CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPZA65R025CM8XKS
Price: 102.41 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPZA65R025CM8XKS

制造商编号：

IPZA65R025CM8XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IPZA65R025CM8XKSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	PG-TO247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	90 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.7 V
Qg-栅极电荷:	124 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	201 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5.4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.6 ns
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	121.2 ns
典型接通延迟时间:	28.4 ns
零件号别名:	IPZA65R025CM8 SP006050915

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET

英飞凌CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。此系列MOSFET具有优异的换向耐受性，因此适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET具有低振铃特性及PFC与PWM级通用性，可实现快速设计导入。此系列MOSFET采用先进的芯片连接技术，可简化热管理。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET符合RoHS标准，且完全符合JEDEC工业应用标准。典型应用包括LLC谐振转换器、AI服务器、电信电源和数据中心。