ISC013N06NM5SCATMA1

Name: Infineon ISC013N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC013N06NM5SCAT
Price: 41.5 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-ISC013N06NM5SCAT

制造商编号：

ISC013N06NM5SCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	276 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.3 V
Qg-栅极电荷:	90 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	OptiMOS 5
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	ISC013N06NM5SC SP006183899

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数据表

ISC013N06NM5SCATMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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8,000

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周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

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最少： 1 倍数： 1

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
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	¥24.4871	¥244.87
	¥23.165	¥2,316.50
	¥20.679	¥10,339.50
	¥20.2609	¥20,260.90
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥16.3737	¥65,494.80

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