ISC019N10NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC019N10NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N10NM8SCAT
Price: 43.63 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-ISC019N10NM8SCAT

制造商编号：

ISC019N10NM8SCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC019N10NM8SCATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-WSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	245 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.93 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	106 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	268 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	75 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.4 ns
系列:	OptiMOS 8
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	36 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
零件号别名:	ISC019N10NM8SC SP006181056

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数据表

ISC019N10NM8SCATMA1 数据表 (PDF)

Models

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 8功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。80V MOSFET提供双面冷却封装（WSON-8），而100V MOSFET采用标准TDSON-8封装。每种封装均提供出色的热阻性能，且经过100%雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管，且无铅、无卤，符合RoHS标准。