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ISC0802NLSATMA1

Name: Infineon ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC0802NLSATMA1
Price: 7.47 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC0802NLSATMA1

制造商编号：

ISC0802NLSATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >80 - 100V

寿命周期:

与工厂核实状态:

寿命周期信息不详。获取报价以从制造商那里核实此零件编号的供货情况。

数据表:

ISC0802NLSATMA1 数据表 (PDF)

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更多信息

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDSON-FL-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	150 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.3 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
零件号别名:	ISC0802NLS SP005430372

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ PD（供电）MOSFET

英飞凌OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFET非常适合用于USB-PD和快速充电器设计，支持短引线和快速报价响应时间。逻辑电平MOSFET采用PQFN 3.3mm x 3.3mm和SuperSO8封装，优化用于充电器和适配器25V至150V SMPS应用中的同步整流。逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压(VGS(th))，允许中低压MOSFET从4.5V或直接从微控制器驱动，从而减少应用中的元件数量。