P7 系列 MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
2,042库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
1,953库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube