120 W 晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18库存量
剪切带
¥1,615.0299
¥1,305.4212
卷轴
¥1,305.4212
最低: 1
倍数: 1
: 100
RF MOSFETs Si SMD/SMT LBB-5 Dual N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 154库存量
375在途量
¥4,614.5245
¥3,932.8181
¥3,742.7069
最低: 1
倍数: 1
GaN FETs GaN Screw Mount 440193 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W 20库存量
¥5,560.6057
最低: 1
倍数: 1
GaN FETs GaN Screw Mount N-Channel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V 无库存交货期 26 周
¥2,424.98
最低: 40
倍数: 40
RF MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
GaN FETs GaN SMD/SMT Die N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
GaN FETs GaN SMD/SMT Die N-Channel