UDFN-6 分立半导体

分离式半导体类型

更改类别视图
结果: 36
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 544,336库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET 5,021库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package 2,128库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 34,400库存量
105,000预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V 94,790库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 26,493库存量
27,000预期 2026/12/11
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1 23,033库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 53,621库存量
48,000预期 2026/12/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package 33,094库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
onsemi ESD保护二极管/TVS二极管 LOW CAP TVS ARRAY 132,528库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

UDFN-6
onsemi MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN 7,649库存量
3,000预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6

onsemi ESD保护二极管/TVS二极管 LOW CAP TVS ARRAY 9,061库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 810
: 3,000

UDFN-6
Toshiba MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz 248库存量
6,000预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 66库存量
3,000预期 2026/8/28
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
onsemi ESD保护二极管/TVS二极管 13.5VRWM UNIDIRECTIONAL T 1,699库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

UDFN-6
onsemi ESD保护二极管/TVS二极管 18V UNIDIRECTIONAL 1,747库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

UDFN-6
onsemi ESD保护二极管/TVS二极管 13.5 V UNIDIRECTION AL ESD 3,034库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

UDFN-6
Toshiba MOSFET X34 Multi-chip discrete device (P-ch + SBD) Independent Id:-2A, Io:1000mA 5,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A 5,883库存量
21,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 3,965库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package 63库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package 836库存量
9,000预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A 973库存量
3,000预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A 237库存量
6,000预期 2026/10/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 5,297库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6