IAUCN08S5N068TATMA1

Name: Infineon IAUCN08S5N068TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S5N068TAT
Price: 19.62 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IAUCN08S5N068TAT

制造商编号：

IAUCN08S5N068TATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 5 Power Transistor

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IAUCN08S5N068TATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-LHDSO-10
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	25.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	98 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7.9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.9 ns
系列:	OptiMOS 5
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11.7 ns
典型接通延迟时间:	6.1 ns
零件号别名:	IAUCN08S5N068T SP005446270