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电子元器件
半导体
分立半导体
分立元件和电源模块
IGBT 模块
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Rectifier Diode Module 系列 IGBT 模块
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半导体
分立半导体
分立元件和电源模块
IGBT 模块
系列
=
Rectifier Diode Module
产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
IGBT Modules
IGBT Silicon Modules
重置
6-Pack
重置
1.2 kV
≤
≥
重置
1.75 V
≤
≥
重置
220 A
≤
≥
重置
100 nA
≤
≥
重置
750 W
≤
≥
重置
- 40 C
≤
≥
重置
+ 150 C
≤
≥
重置
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RoHS
ECAD模型
产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
技术
封装
IGBT 模块 1200V, 150 A, Sixpack IGBT Module
Infineon Technologies IFS150B12N3E4P_B11
IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies
1:
¥1,211.5408
82
预期 2026/10/29
制造商零件编号
IFS150B12N3E4P_B11
Mouser 零件编号
641-IFS150B12N3E4P_B
Infineon Technologies
IGBT 模块 1200V, 150 A, Sixpack IGBT Module
数据表
82
预期 2026/10/29
1
¥1,211.5408
12
¥1,123.9432
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.75 V
220 A
100 nA
750 W
- 40 C
+ 150 C
Si
Tray
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A
Infineon Technologies FF300R12KE3_B2
FF300R12KE3_B2
Infineon Technologies
1:
¥1,248.2658
无库存交货期 12 周
制造商零件编号
FF300R12KE3_B2
Mouser 零件编号
641-FF300R12KE3_B2
Infineon Technologies
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A
无库存交货期 12 周
1
¥1,248.2658
10
¥1,205.9134
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
IGBT Silicon Modules
Si
Tray
IGBT 模块 IGBT Module
Infineon Technologies FZ400R17KE3_S4
FZ400R17KE3_S4
Infineon Technologies
10:
¥1,484.0855
无库存交货期 12 周
制造商零件编号
FZ400R17KE3_S4
Mouser 零件编号
641-FZ400R17KE3_S4
Infineon Technologies
IGBT 模块 IGBT Module
无库存交货期 12 周
10
¥1,484.0855
购买
最低:
10
倍数:
10
详细信息
IGBT Modules
Si
Tray
IGBT 模块 1700 V, 225 A sixpack IGBT module
Infineon Technologies FS225R17OE4P
FS225R17OE4P
Infineon Technologies
4:
¥4,027.0262
无库存交货期 18 周
制造商零件编号
FS225R17OE4P
Mouser 零件编号
641-FS225R17OE4P
Infineon Technologies
IGBT 模块 1700 V, 225 A sixpack IGBT module
无库存交货期 18 周
4
¥4,027.0262
12
¥3,789.7149
购买
最低:
4
倍数:
4
详细信息
Si
Tray
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