Module IGBT 模块

结果: 33
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 80 A booster IGBT module
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 20 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1700V 225A
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 340 A 400 nA 1.5 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 225 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 6
倍数： 6

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.85 V 225 A 400 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
数据表
无库存
最低： 6
倍数： 6

Hybrid IGBT Modules 6-Pack 750 V 1.1 V 450 A 400 nA 714 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 6500V 750A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 6.5 kV 3 V 750 A 400 nA 3 MW Module - 50 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1200 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 4
倍数： 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray