STMicroelectronics HB2 系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	资格	封装
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo STGWA50IH65DF STMicroelectronics 1: ¥45.9119 828库存量	制造商零件编号 STGWA50IH65DF Mouser 零件编号 511-STGWA50IH65DF	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo 了解更多关于STMicroelectronics stm 650v ih 的信息	数据表	828库存量	¥45.9119 ¥30.6004 ¥21.8316 ¥19.3569 ¥18.6111	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.5 V	- 20 V, 20 V	100 A	300 W	- 55 C	+ 175 C	HB2		Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long STGWA50HP65FB2 STMicroelectronics 1: ¥31.6852 884库存量	制造商零件编号 STGWA50HP65FB2 Mouser 零件编号 511-STGWA50HP65FB2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 了解更多关于STMicroelectronics stm h igbt 的信息	数据表	884库存量	¥31.6852 ¥17.3681 ¥14.1476 ¥12.9046 ¥11.3339	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.55 V	- 20 V, 20 V	86 A	272 W	- 55 C	+ 175 C	HB2		Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT STGWA50M65DF2AG STMicroelectronics 1: ¥58.5679 14库存量	制造商零件编号 STGWA50M65DF2AG Mouser 零件编号 511-STGWA50M65DF2AG	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT 了解更多关于STMicroelectronics stm 650v m igbts 的信息	数据表	14库存量	¥58.5679 ¥39.211 ¥31.5157 ¥27.9562 ¥24.8148	最低： 1 倍数： 1							- 20 V, 20 V					HB2	AEC-Q100	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics 1: ¥78.7497 42库存量	制造商零件编号 STGW100H65FB2-4 Mouser 零件编号 511-STGW100H65FB2-4	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa 了解更多关于STMicroelectronics stm hb igbt 的信息	数据表	42库存量	¥78.7497 ¥49.8782 ¥42.2733 ¥36.725 查看 ¥35.3238 报价	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247-4	Through Hole	Single	650 V	1.55 V	- 20 V, 20 V	145 A	441 W	- 55 C	+ 150 C	HB2		Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long STGWA20HP65FB2 STMicroelectronics 1: ¥27.5494 493库存量	制造商零件编号 STGWA20HP65FB2 Mouser 零件编号 511-STGWA20HP65FB2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 了解更多关于STMicroelectronics stm h igbt 的信息	数据表	493库存量	¥27.5494 ¥14.9725 ¥12.1588 ¥10.0909 ¥9.3451	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	40 A	147 W	- 55 C	+ 175 C	HB2		Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads STGWA50M65DF2 STMicroelectronics 1: ¥50.1268 600预期 2027/1/1	制造商零件编号 STGWA50M65DF2 Mouser 零件编号 511-STGWA50M65DF2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads 了解更多关于STMicroelectronics stm 650v m igbts 的信息	数据表	600预期 2027/1/1	¥50.1268 ¥28.2048 ¥23.4136 ¥19.8541 ¥19.3569	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	80 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	HB2		Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead STGWA20M65DF2 STMicroelectronics 600: ¥13.3227 无库存交货期 14 周 NRND	制造商零件编号 STGWA20M65DF2 Mouser 零件编号 511-STGWA20M65DF2 NRND	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead	数据表	无库存交货期 14 周	¥13.3227 ¥12.3283 ¥11.8311 ¥11.5825	最低： 600 倍数： 600	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.55 V	- 20 V, 20 V	40 A	166 W	- 55 C	+ 175 C	HB2		Tube