STMicroelectronics MDmesh II Plus MOSFET

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
数据表
1,044库存量
剪切带
¥20.5095
¥11.3339
¥8.8479
¥7.119
¥6.8817
卷轴
¥5.7291
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
数据表
633库存量
¥22.3288
¥14.3962
¥9.7632
¥8.2716
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh II Plus Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
517库存量
1,000预期 2027/4/23
¥20.3513
¥9.9214
¥8.9383
¥7.0851
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms 25 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Tube