F412R-24LA MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 24A N-CH MOSFET
数据表
1,992库存量
¥53.3473
¥28.2839
¥25.8092
¥22.3288
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
数据表
4,919库存量
¥53.3473
¥28.2048
¥25.8092
¥23.9899
¥22.2497
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
数据表
5,043库存量
6,000预期 2027/4/26
¥10.7576
¥6.8026
¥4.4861
¥3.5256
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 55 V 12 A 175 mOhms 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube