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RoHS

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MR25H40VDF

Everspin Technologies

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

936-MR25H40VDF

制造商编号：

MR25H40VDF

制造商：

Everspin Technologies

说明：

磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

数据表:

MR25H40VDF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Everspin Technologies
产品种类:	磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:
封装 / 箱体:	DFN-8
接口类型:	SPI
存储容量:	4 Mbit
组织:	512 k x 8
数据总线宽度:	8 bit
访问时间:	25 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
工作电源电流:	13.8 mA, 33 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
安装风格:	SMD/SMT
系列:	MR25H40
封装:	Tray
商标:	Everspin Technologies
湿度敏感性:	Yes
Pd-功率耗散:	600 mW
产品类型:	MRAM
工厂包装数量:	570
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	Serial I/O (SPI)

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MR25H40VDF 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

EVERSPIN TECHNOLOGIES

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Offers SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance.

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供货情况

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在途量:: 938

预期 2027/1/13

3,420

1,140

预期 2027/1/20

2,280

预期 2027/3/31
生产周期：: 26

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥313.9027	¥313.90
	¥290.4213	¥2,904.21
	¥281.1553	¥7,028.88
	¥274.2058	¥13,710.29
	¥267.3354	¥26,733.54
	¥258.4084	¥64,602.10
570	报价