18 bit 存储器 IC

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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
Texas Instruments 先进先出 4096 x 18 Synch 先进先出 Memory
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit
GSI Technology 动态随机存取存储器 16M x 18 (288Meg) LL动态随机存取存储器 II Common I/O
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology 动态随机存取存储器 16M x 18 (288Meg) LL动态随机存取存储器 II Common I/O
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology 动态随机存取存储器 32M x 18 (288Meg) LL动态随机存取存储器 II Common I/O
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
GSI Technology 动态随机存取存储器 32M x 18 (288Meg) LL动态随机存取存储器 II Common I/O
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
Renesas Electronics 先进先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先进先出
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 50
倍数： 1
否
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
Renesas Electronics 先进先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先进先出
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 50
倍数： 1
否
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 104
倍数： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 104
倍数： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 104
倍数： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 104
倍数： 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit