32 bit Reel 存储器 IC

存储器 IC类型

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结果: 156
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 4,323库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 35库存量
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R 5库存量
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS 65库存量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS 90库存量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Winbond 动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C, T&R 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-200 4 Gbit
Infineon Technologies NOR闪存 SEMPER 112库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

NOR Flash SMD/SMT 256 Mbit SPI
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, 251库存量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,64M,3.3V 166MHz,2M x 32 2,765库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TINTR
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 28库存量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS 35库存量
480在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
11,413在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
4,452在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1,296在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
385在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
545在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1,500预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
720预期 2027/8/17
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 无库存交货期 26 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit