Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

存储器 IC类型

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结果: 51
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 存储容量 接口类型
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
480在途量
¥89.5864
¥83.2923
¥80.7272
¥78.8288
¥75.1111
最低: 1
倍数: 1
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器 64Mb
960预期 2027/2/4
¥68.9074
¥64.1049
¥62.2065
¥60.7149
¥59.2233
最低: 1
倍数: 1
SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
480预期 2027/2/4
¥73.0432
¥67.9921
¥65.9242
¥64.3535
¥62.7828
最低: 1
倍数: 1
SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956在途量
¥65.6756
¥61.2121
¥59.3024
¥57.9012
¥56.50
最低: 1
倍数: 1
SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200预期 2027/3/19
¥52.8501
¥52.2738
¥44.4994
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥31.188
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 无库存交货期 24 周
¥47.8894
¥44.6689
¥43.3468
¥42.2733
最低: 1
倍数: 1
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥59.2233
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥45.4147
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥33.5836
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥46.6464
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp 无库存
卷轴
¥70.3086
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥42.3524
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 无库存交货期 24 周
¥33.5836
最低: 480
倍数: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥33.7531
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS 无库存交货期 24 周
¥36.2278
最低: 480
倍数: 480
SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥45.9119
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥39.4596
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
¥39.4596
最低: 480
倍数: 480
SRAM
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥39.4596
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥43.2564
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥43.2564
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥35.821
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
¥35.821
最低: 480
倍数: 480
SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 无库存交货期 24 周
卷轴
¥42.3524
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SRAM