MB85RS1MTPW-G-APEWE1

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Mouser编号：

249-85RS1MTPWGAPEWE1

制造商编号：

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

制造商：

RAMXEED

说明：

F-RAM 1Mbit FeRAM with SPI serial interface - WL-CSP 8 T&R

数据表:

MB85RS1MTPW-G-APEWE1 数据表 (PDF)

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交货限制:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	RAMXEED
产品种类:	F-RAM
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
存储容量:	1 Mbit
接口类型:	SPI
最大时钟频率:	25 MHz, 30 MHz
组织:	128 k x 8
封装 / 箱体:	WLP-8
电源电压-最小:	1.8 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	RAMXEED
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
工作电源电压:	3.3 V
产品类型:	FRAM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 日本
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FRAM（铁电随机存取存储器）

Fujitsu Semiconductor FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等特点。这些特性使FRAM非常适合需要连续记录数据、实时记录三维位置信息，并且在突然断电时需要进行数据保护的应用。

Wide Voltage Range SPI FeRAMs

RAMXEED Wide Voltage Range SPI FeRAMs supports high memory capacity of up to 4Mbit. These FeRAMs operate from a 1.7V to 3.6V voltage range, enabling operation over a wide range of voltages. The wide voltage range FeRAMs use the Serial Peripheral Interface (SPI) and offer exceptional endurance, with up to 10^¹⁴ read/write cycles. These FeRAMs feature up to 40MHz operating frequency and high data retention. The wide voltage range FeRAMs are available in multiple packages such as SOP‑8, DFN‑8, SON‑8, and WL‑CSP.