250 MHz 动态随机存取存储器

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
3,898库存量
9,600预期 2027/1/12
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
6,167库存量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Winbond 动态随机存取存储器 64Mb HyperRAM x8, 250MHz
1,962库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

64 Mbit 250 MHz BGA-24 6 M x 8 Reel, Cut Tape
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
数据表

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray