512 Mbit 动态随机存取存储器

结果: 262
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 28库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 96库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
338在途量
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
3,456在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
6,298在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
10,496在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
7,175在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
3,762在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
324预期 2027/9/14
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile S动态随机存取存储器
348在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
415在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
1,672在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320E
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
480在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320F Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 32Mx16 Mobile SDR
676预期 2027/9/8
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
960预期 2027/8/9
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR
348在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
418预期 2027/9/13
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
300在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器
265在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT
348预期 2027/5/5
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 16 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M32MSA Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
108在途量
最低: 1
倍数: 1
: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel, Cut Tape
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
242预期 2026/10/12
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 无库存交货期 8 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-60 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM5116D2 Tray