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IX4352NE

Name: IXYS IX4352NE
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-IX4352NE
Price: 24.45 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IX4352NE

制造商编号：

IX4352NE

制造商：

IXYS Integrated Circuits

说明：

栅极驱动器 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC

数据表:

IX4352NE 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-16
激励器数量:	6 Driver
输出端数量:	3 Output
输出电流:	9 A
电源电压-最小:	13 V
电源电压-最大:	25 V
配置:	Non-Inverting
上升时间:	10 ns
下降时间:	10 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	IX4352NE
封装:	Tube
商标:	IXYS Integrated Circuits
逻辑类型:	CMOS, TTL
最大关闭延迟时间:	125 ns
最大开启延迟时间:	125 ns
工作电源电流:	19 mA
产品类型:	Gate Drivers
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	50
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	SiC

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

IXYS IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器设计用于驱动SiC MOSFET和大功率IGBT，具有独立的9A拉、灌电流输出，可实现定制导通和关断定时，同时最大限度地降低开关损耗。内部负电荷稳压器提供用户可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快关断。去饱和检测电路可检测SiC MOSFET过流情况，并启动软关断，防止潜在的破坏性dV/dt事件。IN非反相逻辑输入与TTL和CMOS兼容，内部电平转换器提供必要的偏置，以适应负栅极驱动偏置电压。保护还包括欠压闭锁（UVLO）检测和热关断。开漏故障输出向微控制器发出故障状态信号。XYS IX4352NE模块采用散热增强型16引脚窄体SOIC封装。